作者： 许超 ，华尔街见闻
存储芯片的行情正从“齐涨”转向“分化”。美银认为，DRAM的涨价逻辑尚未被打破，而NAND现货端已明显松动，将成为本轮存储上行周期中第一个需要重新定价的品种。
美银11月13日报告显示， NAND现货跌幅显著，512Gb晶圆跌逾10%，1Tb跌近中个位数，而16Gb DDR5现货持平。自10月中下旬以来，NAND现货累计回调约20%。
基于此，美银维持对2027年第一季度NAND平均售价的谨慎假设：IT用NAND价格环比下降5%至10%，企业级应用基本持平或小幅上行，整体低个位数下滑 。这一判断与市场仍预期NAND售价上涨10%以上的看法形成明显分歧。与此同时，美银仍假设DRAM涨价延续至2026年第四季度（环比增8%）和2027年第一季度（增5%）。
美银称，本周与投资者交流后，存储股情绪较上周有所改善，DRAM权重较高的公司被认为下行空间有限。多数DRAM标的当前对应2026至2027年盈利仅3至5倍市盈率，明显低于AI半导体同业。
美银将NAND的担忧归结为三点： 现货价格自10月中下旬以来回调20%左右；PC与智能手机OEM乃至中国超大规模云厂商的订单走弱；以及2027年第一季度合约价谈判可能被推迟，市场没有出现抢单。
现货数据的分化相当直观。据DRAMeXchange，512Gb晶圆现货报14.3美元，周环比跌12%，季度环比跌32%，但同比仍涨121%；1Tb报24.9美元，周环比跌4%，季度环比跌19%，同比涨194%。相比之下，16Gb DDR5报60.2美元，周环比持平，同比涨150%。
原厂口径依旧强调企业级SSD需求强劲，可在一定程度上对冲IT NAND的疲软。 但美银提醒，老旧产线占全球晶圆总产能的20%至30%，并不适合生产高端NAND与eSSD，仍需持续用于IT NAND，这构成价格的结构性压力。 大容量NAND（2Tb以上）与eSSD（30TB以上）的每比特价格出现小幅下调，但美银认为这更像是厂商为推广新一代QLC而做的主动促销——多数eSSD的NAND价格仍呈小幅上行趋势。
NAND合约价与现货价目前走势背离。
据TrendForce，1Tb TLC晶圆10月合约价环比基本持平，延续第二至第三季度的横盘格局；512Gb合约价约27美元，接近历史高位，约为2025年2月低点2.5美元的十倍。
美银的担忧在于时点： 若下游迟迟不下急单，2027年第一季度的合约价谈判可能后移，厂商在新一轮谈价中的议价能力将被削弱。 这一判断直接对应其与市场的预期差——卖方普遍假设NAND售价仍将上涨10%左右，美银则给出低个位数下滑。
DRAM一侧则是另一幅图景。据TrendForce，16Gb DDR5合约价10月环比再涨5%，同比涨幅超过500%；服务器端DDR5与DDR4的64GB模组10月合约价环比涨约15%，模组价格已突破1000美元，分别达到1600美元和1500美元。美银据此维持DRAM在2026年第四季度环比涨8%、2027年第一季度涨5%的假设。
美银于11月12日举办了与三星电子的投资者交流会，得到的三个要点是： 美国AI数据中心芯片需求强劲，尽管存在担忧但未见订单削减；HBM市场地位较一年前的弱势明显改善；DRAM业务的长协价（LTA）强劲上行，高售价与高毛利在长周期内可持续。
但管理层的表态并不激进，这也是投资者关注的焦点之一。 三星给出的HBM份额目标为30%至40%左右，而非50%以上；即便到2027年末，LPDDR5的盈利能力仍优于HBM，因此HBM产能扩张不太可能过于激进，以避免侵蚀传统DRAM的市场份额。技术路线上，HBM4e将与HBM4共用同一1c节点和4nm逻辑芯片。美银还提到，2027年合约涨价幅度不太可能达到TrendForce预期的水平，因为价格在2026年已经先行上涨。
值得注意的是，三星对IT用NAND的指引并不如eSSD乐观，这与美银的价格判断一致。
存储股本周反弹，全年累计涨幅普遍在100%以上，SanDisk与Kioxia年初至今回报超过250%。美银称，本周交流的投资者普遍提到下行空间有限，理由是美国中期选举后AIDC芯片订单保持韧性、DRAM售价仍在上涨（与NAND形成对比），以及估值倍数偏低。
估值表显示，SK Hynix对应2026年市盈率3.6倍，Samsung为4.7倍，Micron为10.7倍，Nanya为5.1倍；NAND阵营中，Sandisk对应2027年市盈率4.3倍，Western Digital为13.2倍，SIMO为16.4倍，Phison为7.7倍。美银认为，相较于AI半导体同业，存储板块的定价仍显温和。
美银总结认为， DRAM的供需与价格趋势仍由AI数据中心与HBM挤占产能所支撑，而NAND的定价权正在向买方倾斜。两者的估值差与业绩弹性，将取决于2027年第一季度合约价谈判能否如期落地。
